Infineon Breitband-HF-Schalter mit hoher Schaltgeschwindigkeit

Posted By : Victoria Chercasova
Infineon Breitband-HF-Schalter mit hoher Schaltgeschwindigkeit

Die Breitband-Hochfrequenz(HF)-Schalter BGS14WMA9 und BGS12WN6 sind mit ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit für WLAN- und Bluetooth-Applikationen optimiert. Sie  bieten   Breitbandunterstützung mit einer Abdeckung von 0,05 bis 6,0GHz für FM-Radio-, LTE-, LAA- und 5G-Anwendungen. 

Neben der optimierten Schaltgeschwindigkeit zeichnen sich beide Modelle durch eine hohe Linearität von bis zu 26dBm Eingangsleistung, eine geringe Einfügungsdämpfung sowie eine hohe Port-zu-Port-Isolation von bis zu 6GHz aus. Der niedrige Stromverbrauch ermöglicht zusätzliche Energieeinsparungen auf Systemebene.

Die HF-Schalter in der patentierten MOS-Technologie von Infineon vereinen die Leistung von Gallium-Arsenid (GaAs)-Schaltern mit der Wirtschaftlichkeit und ESD (Electrostatic Discharge)-Robustheit herkömmlicher CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)-Schalter. Im Gegensatz zu Schaltern mit GaAs-Technologie sind externe DC-Sperrkondensatoren an den RF-Ports nur erforderlich, wenn die DC-Spannung extern angelegt wird. Beim BGS12WN6 handelt es sich um einen Single Pole Double Throw (SPDT) Wechselschalter mit zwei RF-Ports. Der BGS14WMA9 ist ein Single Pole Four Throw (SP4T) Schalter mit vier RF-Ports. Die Ports können als Anschluss der Diversity-Antenne zur Handhabung von bis zu 26dBm verwendet werden.





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