SiC jetzt, es ist Realität

24th May 2018
Posted By : Victoria Chercasova
SiC jetzt, es ist Realität

 Besuchen Sie das Team von Microsemi auf der PCIM Europe 2018 (Power Conversion and Intelligent Motion Conference) in Halle 6, Stand 318. Die Messe findet vom 5. bis 7. Juni 2018 (täglich von 9:00 bis 17:00 Uhr) auf dem Gelände der Messe Nürnberg statt. 

Wir werden unsere neuesten Innovationen anhand von Live und statischen Demonstrationen zeigen, darunter das dreiphasige Referenzdesign Vienna mit Leistungsfaktorkorrektur-Topologie (PFC), SiC-MOSFET-Treiberboards, Power-Core-Module (PCMs) und Hybrid-Leistungsantriebe (HPD510 und HPD 520) sowie die Referenzdesigns DRF1300 und DRF1510.

  • Dreiphasen-Vienna-PFC: Vienna PFC-Referenzdesign, geeignet für schnelle EV-Charger und Stromversorgungen für Industrie-Applikationen und ausgestattet mit Microsemis robusten SiC-MOSFETs und Dioden der nächsten Generation. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier.
  • SiC-MOSFET-Treiber-Boards:


       SiC-MOSFET-Treiberboard demonstriert Microsemis brandneues SP6LI (Low Inductance) Modul mit einer Streuinduktivität von <3nH, um komplett von           der SiC-Technologie zu profitieren und für einfache Parallelschaltung entwickelt. Bis zu 1.200V und 586A. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier.

       SiC-MOSFET-Treiberboard zeigt Microsemis klassisches SP3-Modul. Bis zu 400kHz Schaltfrequenz, 12V VIN-Versorgung und bis zu 16W Gate-Treiberfähigkeit/Seite. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier.

       SiC-MOSFET-Treiberboard mit Microsemis SiC APTMC120AM20CT1AG Leistungsmodul (SP1-Gehäuse – Halbbrücken-Topologie) und ADI ADuM4135-Treiber.

  • Power-Core-Modul (PCM) und Hybrid-Leistungsantrieb (HPD510)

      5kVA (540VDC) Dreiphasen-Leistungsinverter für Motorantriebe mit SiC-MOSFETs oder IGBTs, entwickelt nach Airbus-Standardspezifikationen für flugkritische Aktuator-Antriebe. Teilweise Entladung (Partial Discharge), Spulen-Antriebe (Solenoid Drives), Strom- und Temperaturmessfunktionen eingeschlossen. Alle DO-160 Umwelt- und EMC-Zertifizierungsanforderungen abgeschlossen. Line-Replaceable Einheit für ultraschnelle Wartung im Feld. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier.

  • Hybrid-Leistungsantrieb (HPD520)

      5kVA (540V) Dreiphasen-Leistungsinverter für Motor-Antriebs-SiC-MOSFETs oder IGBTs skalierbar bis 20kVA (540V), entwickelt für Luftfahrtprogramm mit bewährter In-System-Performance. Strom-, Temperatur- und Partial-Discharge-Funktionen für teilweise Entladung eingeschlossen. Leiterplatten-Schnittstelle ermöglicht optimale Design-Integration. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier. 

  • DRF1300 Referenzdesign: Das DRF1300/Class-D Push/Pull-HF-Generator ist ein Referenzdesign, welches Entwicklern die Möglichkeit gibt, einen 2.000W Push/Pull Pair Class-D HF-Generator mit einem Wirkungsgrad von 80% zu evaluieren. Um mehr zu erfahren, klicken Sie hier.
  • DRF1510 Referenzdesign: Der DRF1510/CLASS-D Vollbrücken-HF-Generator ist ein Referenzdesign, welches Entwicklern die Möglichkeit gibt, einen 4.500W Class-D Vollbrücken-HF-Generator zu evaluieren. Das DRF1510 ist das kompakteste ISM-Band-Hybrid-Modul für Plasma-Applikationen. Es ist für 4kW bei 13,56MHz spezifiziert, kann 6kW Spitzenleistung liefern und nutzt die Best-in-Class integrierte Treiber.

Konferenz- Session – Raum Brüssel 1 SiC Devices II
14:00 bis 14:25 Uhr, Mittwoch 6. Juni
“Über das Datenblatt hinaus: Kommerzialisierung von 700V bis 1,7kV SiC-Bausteine mit außerordentlicher Robustheit für Automotive- und Industrie-Applikationen”.

Poster Sessions, Dienstag 15:15 bis 17:15 Uhr im Haupt-Foyer
“1.200V/2mΩ-SiC-MOSFET-Phase-Leg-Modul mit sehr niedriger Streu-Induktivität und hohe Frequenz”.





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