Vorschau: ROHM Semiconductor auf der PCIM 2016

15th April 2016
Posted By : Barney Scott
Vorschau: ROHM Semiconductor auf der PCIM 2016

Anlässlich der PCIM in Nürnberg vom 10.-12. Mai 2016 zeigt ROHM Semiconductor seine neuesten Power-Produkte  für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und hohe Leistung, die speziell auf Energieersparnis und hohe Effizienz optimiert sind. (Halle 9 - Stand 316). Fortschrittliche Leistungsbauelemente haben großen Einfluss auf die Energieersparnis in allen möglichen Stromversorgungssystemen und machen sie zu einem Kernelement künftiger Anwendungen.

Führend in der Entwicklung aller Arten von Si und SiC (Siliziumkarbid) Power-Produkten, die komplett inhouse entwickelt und gefertigt werden, präsentiert ROHM seine neuesten Leistungsbausteine.

Highlights:

3rd Gen SiC Schottky Barriere Dioden(SBDs) für noch mehr Leistung und Zuverlässigkeit

ROHM erweitert sein Portfolio beständig und stellt nun seine neue SiC-SBD für verbesserte Leistung vor. Die ersten Produkte sind für 650 V / 6, 8, 10A ausgelegt und werden in einem TO220AC Gehäuse angeboten. Sie ermöglichen die niedrigste VF und den niedrigsten IR Werte innerhalb des gesamten Temperaturbereichs unter allen verfügbaren SiC-SBDs am Markt. Zusätzlich verfügen sie über hohe, für Stromversorgungen geeignete Stoßstrombelastbarkeit. Da diese dritte Generation eine Schottky-Barriere-Diodenstruktur mit PN-Übergang enthält, ist eine lange Lebensdauer bei bipolarem Betrieb ebenfalls gewährleistet. Diese Funktionen tragen zur  kontinuierlichen Entwicklung von hoher Leistungsfähigkeit, hoher Leistungsdichte und sehr robusten Designs bei.

Rein SiC-basierte 1200V/180A Module für höchst effizienten Betrieb im Hochfrequenz-Bereich

ROHM hat bei den ersten kommerziellen Leistungsmodulen, die mit SiC-MOSFETs und SiC-SBDs bestückt sind, Pionierarbeit geleistet und zeigt nun sein neuestes SiC-Power-Modul BSM180D12P3C007, ausgelegt auf 1200V/180A. Im selben Format wie frühere Module beinhaltet das Halbbrücken-SiC-Modul in Massenproduktion hergestellte SiC-MOSFETs mit Trench-Struktur und eingebaute SiC-SBDs. Auf Basis der fortschrittlichen UMOS-Struktur erzielt das neue Modul 77% geringere Schaltverluste als herkömmliche IGBT-Module und 42% geringere Schaltverluste als SiC-Module mit SiC-DMOS-Struktur. Dies ermöglicht nicht nur Hochfrequenzbetrieb, sondern trägt auch zu kleineren Kühlsystemen und peripheren Komponenten bei, was wiederum größere Energieeinsparungen und Endprodukt-Miniaturisierung zur Folge hat.

Schrittmotoren Treiber –Arduino-kompatibles Evaluation Kit für einfachere Designs in kürzerer Zeit

Um die Evaluierung seiner Motortreiber-Bausteine und die Design-ins seiner Kunden zu unterstützen, zu vereinfachen und zu beschleunigen, lanciert ROHM ein Arduino-basierte Evaluation Kit (EVK). Konzipiert als "Schild" zum Aufstecken auf die Arduino-Hauptplatine, ermöglicht dieses EVK Entwicklern eine schnelle Beurteilung der Performance der ROHM Treiber und ein schnelles Prototyping von Schrittmotor-Systemen. Das Kit wird in 15 Varianten für verschiedene ROHM Schrittmotoren–Treiber-ICs angeboten – von Standard- zu Mikroschritt-ICs sowie für ICs für niedrige Spannung bis hin zu hohen Spannungen. Damit deckt diese umfassende Lösung Versorgungsspannungen von 8 bis 42V ab, ermöglicht 2.5A pro Phase, sowie die Ein- oder Mehrphasensteuerung von einem oder zwei Schrittmotoren. Das 'leicht anzupassende "EVK wird mit einer Software-Bibliothek und Beispielprogrammen ausgeliefert, um eine schnelle Lernkurve zu erleichtern.





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